SK海力士研发“最强”闪存 处理速度提升

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  SK海力士在去年4月研发出72层3D Nand闪存过后,用了短短1年半就攻克了96层半导体技术,这个半导体体积比现在的72层512Gbit 3D Nand闪存缩小了200%以上,可不要能 搭载到智能手机移动零部件之中,每张面板可不要能 生产的记忆容量(bit)提升1.5倍,可一同解决的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB,一另一两个 新的芯片产品可不要能 取代另一两个 另另一两个 的256Gbit 3D Nand闪存。SK海力士强调,“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了200%和25%”。

  SK海力士研发“最强”闪存 (图片来自网络)

  SK海力士不言而喻自称“全球首次”,是机会该公司不同于一些半导体公司采用的2D Nand浮栅型闪存单元技术,很多将3D Nand使用的电荷撷取闪存(CTF,Charge Trap Flash)底部形态与外围电路(PUC,Peri Under Cell)构造结合起来开发出了新的技术。PUC技术将用来驱动晶胞的附近电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方,大慨将公寓楼(Nand闪存)所要能 的停车场从公寓旁边改建到了地下空间,以此法律方法提高空间使用下行速率 。

  SK海力士公司常务金正泰表示:“给予CTF技术的96层4D Nand闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势”,“亲戚朋友还正利用相同技术研发新一代128层4D Nand闪存”。

  此外,SK海力士计划在年内推出搭载“4D Nand”内存,这款产品拥有1TB容量固态硬盘(SSD)机会成为半导体存储信息中新一代大容量储存设备。